天成半導體于2022年10月重磅推出878.6nm 180W高功率泵浦源激光器。公司擁有十多年的光纖耦合半導體激光器生產經驗，是國內較早從事泵浦源研發生產的廠家之一。天成憑借808nm泵浦源產品獲得了眾多固體激光器廠家的認可，加速推動了808nm泵浦源國產化進程。鎖波長878.6nm泵浦源產品，天成半導體同樣走在行業前列，憑借豐富的976nm鎖波長技術經驗，公司從2018年初開始研發生產878.6nm鎖波長激光器，并相繼推出30W、40W、70W、120W多種規格激光器，其“芯片”+“光纖耦合”工藝均經過公司嚴格的長期可靠性驗證。

天成為了滿足市場發展和客戶的需求，于2022年10月新推出878.6nm 180W泵浦源激光器，具有以下特點：

1. 工藝成熟：功率余量大，產品可靠性高；轉換效率高，壽命長；

2. 波長鎖定電流范圍寬：2A開始波長鎖定；

3. 波長鎖定溫度范圍寬：20~40°C均可實現波長鎖定；

4. 產品規格多樣化，芯徑200μm/400μm可選，并可提供定制服務。

    878.6nm 180W PIV光電特性曲線

878.6nm 180W光譜曲線

固體激光器具有諸多優點：峰值功率高；光束質量好；波長范圍寬，從紫外波段到中紅外波段。固體激光器可對不同材料實現打標、切割、打孔、焊接等應用。市場對固體激光器需求的功率越來越高，技術難度也越來越高。工程師們在泵浦源、激光晶體、腔形設計、散熱方式等方面不斷優化，以提升高功率固體激光器的穩定性與可靠性。

工業加工應用的固體激光器常用的激光晶體是Nd:YVO₄和Nd:YAG。Nd:YVO₄晶體是當前工業高功率固體激光器的首選晶體。Nd:YVO₄晶體在878.6nm波段具有很強且較窄吸收峰，當采用878.6nm泵浦源產生1064nm激射波長時，相比使用808nm泵源，其量子虧損降低33%，可以大大降低熱效應，十分有利于高功率工作。同時，878.6nm泵浦源采用外腔鎖波長技術，光譜寬度小于1nm，波長-溫度漂移系數僅為0.02nm/°C，使得泵浦激發更穩定。

相比之前的產品，新品878.6nm 180W大功率泵浦源模塊使用更高輸出功率的單管芯片獲得更高的泵浦功率輸出，適用于更大功率的皮秒固體激光器。此產品經過公司內部數千小時的嚴格驗證，各項性能優勢明顯，穩定可靠。

   天成半導體的878.6nm泵浦源，目前已向國內多家客戶批量供貨，以優異的性價比，快速推進著878.6nm泵浦源國產化的進程。新的878.6nm 180W泵浦源也將全面上市，助力高功率、高穩定性固體激光器的發展！